"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
Фомин И.А., Фетисова В.И., Анненко Н.М., Науменко Н.В.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Исследованы эпитаксиальные слои InGaAsP, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложках InP. Показано, что в слоях могут присутствовать примеси, образующие глубокие уровни с энергиями термической активации ~ 0.65 и ~0.2 эВ, расположенные в верхней и нижней половинах запрещенной зоны соответственно. Наличие таких уровней приводит к появлению эффекта аномального увеличения времени релаксации фотовозбужденных носителей тока. Дополнительная очистка расплава путем его отжига с введением гадолиния существенно снижает концентрацию как глубоких центров, так и фоновой" примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.