"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
Аладашвили Д.И., Адамия З.А., Лавдовский К.Г., Левин Е.И., Шкловский Б.И.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Показано, что в слабо компенсированных слабо легированных образцах n- и p-кремння в области температурного насыщения прыжковой проводимости электропроводность уменьшается с ростом электрического поля (отрицательная неомичность). В предельно слабо компенсированных образцах этот эффект настолько силен, что приводит к возникновению отрицательной дифференциальной проводимости. В таких образцах наблюдаются осцилляция тока, связанные с развитием доменной неустойчивости. При понижении температуры, когда возникает энергия активации varepsilon3, отрицательная неомичность исчезает и электропроводность становится возрастающей функцией поля (положительная неомичность). Построена теория отрицательной неомичности как следствия захвата электронов в мертвые концы бесконечного кластера. Теория позволяет также описать ослабление отрицательной неомичности и переход к положительной с ростом степени компенсации и понижением температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.