"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электроабсорбционная оптическая бистабильность в волноводной P-i-N ДГС с туннельно-резонансной нагрузкой
Долманов И.Н., Толстихин В.И.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Построена теоретическая модель обусловленного эффектом Франца-Келдыша нелинейного фотоотклика волноводной P-i-N ДГС с туннельно-резонансной нагрузкой и исследованы условия возникновения в ней электроабсорбционной оптической бистабильности. Получены вольтамперные характеристики фотовозбужденной P-i-N ДГС и туннельно резонансной структуры, найдена мощностная оптическая передаточная характеристика рассматриваемого элемента, показано, что возможны гистерезис этой характеристики и оптическая бистабильность с высоким (>10) отношением выходных мощностей во включенном и выключенном состояниях без использования внешнего источника напряжения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.