"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние сильного электрического поля на фотоэлектрические характеристики халькогенидного стеклообразного полупроводника As40S30Se30
Бордовский Г.А., Савинова Н.А.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Исследовано влияние сильного электрического поля на характеристики фотопроводимости пленок стеклообразного полупроводника As40S30Se30. Обнаружен существенный рост электронной компоненты фототока в сильном электрическом поле, приводящий к изменению спектральных, вольтамперных, кинетических и температурных характеристик фототока. Изучено влияние контактов на полевой эффект. Предлагается модель, рассматривающая рост электронного фототока вследствие термополевого высвобождения электронов с ловушек.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.