"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Gamma X-перенос в реальном пространстве N-ОДП в слоистой структуре
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Рассчитана зависимость средней по периодической Gamma XGamma X...-гетероструктуре дрейфовой скорости продольного транспорта горячих электронов (v)d от продольного греющего электрического поля E. Использованы параметры гетеропары GaAs/AlAs с полупериодом 400 Angstrem. Показано, что вследствие переноса электронов в реальном пространстве из GaAs в AlAs с одновременным междолинным Gamma X-переходом зависимость (v)d(E) имеет падающий участок при значениях E, существенно более низких, чем в однородном GaAs, и с гораздо большим отношением ((v)d)peak/((v)d)valley. При расчете учтены как переход электронов через гетерограницу по вышележащим L-долинам, так и непосредственный Gamma X-переход --- бесфононный и с поглощением или испусканием междолинного фонона. Gamma X-перенос полностью преобладает при 77 K, а при 290 K он преобладает для транспорта из AlAs в GaAs, тогда как для обратного транспорта на всем падающем участке ВАХ доминирует LL-перенос.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.