Исследуются вольтамперные характеристики коротких" гетероструктур барьер-яма-барьер с учетом разогрева и перераспределения носителей в яме. Показано, что вольтамперная характеристика короткой гетероструктуры может иметь S-образный вид в широком интервале температур решетки полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.