"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
Агринская Н.В., Шашкова В.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Измерены оптическое поглощение и концентрация носителей тока после фотовозбуждения в вырожденных кристаллах CdTe : Cl n300 K~ (3/ 5)·1017 см-3 при T= 150-100 K. Наблюдаемые долговременные релаксации фотопроводимости и изменения в спектрах примесного поглощения после фотовозбуждения объясняются с использованием модели метастабильного комплексного акцепторного центра, включающего в себя вакансию Te и ClTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.