"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Некоторые эффекты, влияющие на профиль распределения внедренных ионов в кристаллических мишенях полупроводниковых соединений AIIIBV после ионной имплантации
Кольцов Г.И.1, Макаров В.В.1
1Московский институт стали и сплавов
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследованы распределения имплантированных в монокристаллические подложки фосфидов индия и галлия ионов селена и бериллия. Проведено сравнение экспериментальных распределений с теоретически рассчитанными, проанализированы различия. Показана роль монокристалличности мишеней в формировании распределений, получены дозовая и энергетическая зависимости моментов распределений и характеристической длины экспоненциального спада профилей на больших глубинах. Описан и обоснован механизм формирования распределения имплантированных частиц на больших глубинах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.