"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na2S
Берковиц В.Л.1, Иванцов Л.Ф.1, Макаренко И.В.1, Львова Т.В.1, Хасиева Р.В.1, Сафаров В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследования в туннельном микроскопе показали, что при пассивации в водном растворе Na2S с поверхности арсенида галлия удаляется толстая окисная пленка, а образующийся пассивирующий слой является туннельно прозрачным. Как следовало из полученных вольт-амперных характеристик, при пассивации существенно уменьшается плотность поверхностных состояний в середине запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.