"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП структур при облучении
Гуртов В.А.1, Травков И.В.1
1Петрозаводский государственный университет им. О.В. Куусинена
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Рассмотрены процессы накопления объемного заряда в МНОП структурах с двуслойным диэлектриком. Показано, что немонотонная зависимость напряжения плоских зон Delta VFB от внешнего напряжения VG при облучении обусловлена конкуренцией трех механизмов образования радиационно-индуцированного заряда: накопления дырочного заряда в слое двуокиси кремния, полевого разделения носителей в нитриде кремния и инжекции носителей из полупроводникового электрода. Показано, при каких параметрах модели наблюдается совпадение расчета и эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.