"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние токов утечки через изолятор на поведение МДП структур
Тихов С.В.1, Касаткин А.П.1, Карпович С.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт при НГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

На примере структуры металл-анодный окисел-фосфид индия показано, что при увеличении плотности токов утечки через изолятор основные информативные характеристики структуры (вольт-фарадные кривые, характеристики малосигнальной проводимости, спектры нестационарной емкости) могут практически полностью терять информацию о ловушках, которые находятся в переходном слое вблизи границы раздела изолятор-полупроводник. Объяснение этого эффекта дано в предположении, что увеличение токов утечки способствует улучшению термодинамического контакта таких ловушек с металлическим электродом, который осуществляется через образующуюся в процессе старения структуры хорошо проводящую часть анодного окисла. В этом случае заполнение ловушек электронами определяется не положением уровня Ферми на поверхности полупроводника, а положением их энергетических уровней относительно уровня Ферми в металле, которое слабо менялось при приложении управляющего напряжения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.