"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре
Гольдберг Ю.А.1, Поссе Е.А.1, Царенков Б.В.1, Шульга М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Объектом изучения служили поверхностно-барьерные структуры Ni-n-GaAs (n=(1/2)·1015 см-3 при 300 K), изготовленные методом химического осаждения металла на поверхность полупроводника. Показано, что механизмом обратного тока при низких напряжениях (1/10 В) и. повышенных температурах (450/550 K) является термоэлектронная эмиссия (ток соответствует теории Бете при учете сил изображения). Величина постоянной Ричардсона, найденная из температурной зависимости обратного тока ((8.2±1.0) А/см2· град2), совпадает с величиной, определенной из температурной зависимости прямого тока, и с величиной, теоретически ожидаемой для GaAs. Значение высоты потенциального барьера, найденное из температурной зависимости обратного тока (0.96 В при 0 K), совпадает со значениями, определенными из температурных зависимостей прямого тока и барьерной емкости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.