"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние давления на явления переноса в CdSnAs2<Cu> с глубоким акцепторным уровнем
Даунов М.И.1, Магомедов А.Б.1, Данилов В.И.1
1Нижегородский государственный педагогический институт им. М. Горького Институт физики АН СССР, Дагестанский филиал, Махачкала
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

В кристаллах с электронным типом проводимости при атмосферном давлении и концентрацией электронов n<1017 см-3 измерены зависимости коэффициента Холла R, удельного сопротивления rho, термоэдс alpha от магнитного поля (до H=15 кЭ), всестороннего давления (до P=1.5 ГПа) при 77.6 и 300 K. Вблизи дна зоны проводимости обнаружен глубокий акцепторный центр с энергией активации varepsilonп=varepsilonc-25 мэВ, по-видимому, уровень собственного дефекта вакансии Cd. Оценены барический и термический коэффициенты varepsilonп и проанализирован характер взаимодействия примесного центра с зоной проводимости и валентной зоной. Эффективное перекрытие примесной полосы с зоной проводимости приводит к гибридизации состояний и сдвигу перехода Мотта-Андерсона. Получено экспериментальное подтверждение инверсии знака термоэдс по примесной полосе alphaп в зависимости от степени ее заполнения при фиксированной температуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.