"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In0.53Ga0.47As : Sb
Гоголадзе Д.Т.1, Долгинов Л.М.1, Малькова Н.В.1, Мильвидский М.Г.1, Новикова В.М.1, Соловьева Е.В.1, Шепекина Г.В.1
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Введение изовалентной примеси --- сурьмы в нелегированные эпитаксиальные слои In0.53Ga0.47As, полученные жидкофазной эпитаксией из расплавов, содержащих геттерирующую примесь редкоземельного элемента (гадолиния), приводит к инверсии типа проводимости эпитаксиальных слоев (p-> n). Увеличение концентрации сурьмы в слоях выше ~1018 см-3 приводит к возрастанию концентрации электрически активных центров донорного типа. При этом рассеяние электронов на флуктуациях решеточного потенциала приобретает резонансный характер, что может быть обусловлено изменением пространственного расположения основных и примесных атомов в твердом растворе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.