"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
Аникин М.М.1, Зубрилов А.С.1, Лебедев А.А.1, Стрельчук А.П.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Проведено исследование времени жизни и диффузионных длин неосновных носителей тока в p-n-структурах, изготовленных на основе 6H-SiC по различным технологиям. Методом DLTS исследованы концентрации и параметры имеющихся в этих структурах глубоких уровней (ГУ). Исходя из статистики Шокли-Рида показано, что два обнаруженных ГУ (S(Ec-0.35 эВ) и R(Ec-1.27 эВ)) могут определять рекомбинационные процессы в исследовавшихся p-n-структурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.