"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция, связанная с центрами AuGa в GaAs : Au
А.А.Гуткин, В.Е.Седов, А.Ф.Цацульников1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследована фотолюминесценция (ФЛ) GaAs : Au при ~2 и 77 K. Введение Au приводит к появлению в спектре ФЛ примесных полос с максимумами около 1.07, 1.425 и 1.46 эВ. Спектр полосы 1.07 эВ аппроксимирован расчетным в предположении определяющей роли взаимодействия локализованных на излучающих центрах дырок с LO- и TA-фононами. Получены значения энергии бесфононного перехода (1.125±0.005 эВ) и констант взаимодействия с LO- и TA-фононами (соответственно 1.0±0.1 и 2.9±0.3). Величина энергии бесфононной линии хорошо согласуется с энергией Ev+0.4 эВ уровня, наблюдаемого в GaAs : Au электрическими методами. Поведение полосы 1.07 эВ при одноосных давлениях качественно подобно поведению ФЛ Cu0Ga и Ag0Ga, что свидетельствует о том, что центр, ответственный за эту полосу, представляет собой двухзарядный акцептор Au0Ga, окружение которого в силу эффекта Яна-Теллера искажено так, что комплекс Au0Ga4 As имеет тетрагональную симметрию. Количественные отличия от поведения ФЛ Cu0Ga могут быть связаны с более высокими значениями для Au0Ga энергии ян-теллеровской стабилизации и ее отношения к величине спин-орбитального расщепления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.