"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si
Абрамов В.В.1, Брандт Н.В.1, Кульбачинский В.А.1, Тимофеев А.В.1, Ульяшин А.Г.1, Шлопак Н.В.1, Горольчук И.Г.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Измерена низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si<Se>. Результаты интерпретируются в рамках модели с участием D--состояний, отвечающих примесным атомам селена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.