"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У., Гадаев О.А., Стрэдлинг Р.А., Фергюсон И.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

Исследовалась низкотемпературная магнитофотолюминесценция структуры, состоящей из эпитаксиальной пленки нелегированного InSb толщиной 5 мкм на квазиполуизолирующей подложке p-InSb с p=7·1012 см-3. В спектре фотолюминесценции (ФЛ) структуры наблюдались полосы излучения, обусловленные межзонной и примесной рекомбинацией носителей в эпитаксиальной пленке. В магнитном поле в спектре ФЛ структуры появляются полосы излучения, обусловленные рекомбинацией свободных диамагнитных экситонов. По зависимости полуширины полосы излучения связанных экситонов в спектре ФЛ квазиполуизолирующей подложки от температуры оцениваются концентрации акцепторов (NA=4·1013 см-3) и степень компенсации (K=0.8).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.