"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Нейтронное облучение CdxHg1-xTe
Иванов-Омский В.И., Кутехов Н.В., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У., Гадаев О.А.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

Исследовалась возможность нейтронного трансмутационного легирования и его влияния на фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства CdxHg1-xTe. Установлено, что при облучении n-CdxHg1-xTe (x=0.2-0.3) тепловыми нейтронами флюенсом 1017-1018 см-2 и последующем термическом отжиге в насыщенных парах ртути образуется материал p-типа проводимости, концентрация дырок в котором зависит от дозы облучения. Наиболее вероятным источником акцепторов является ядерная реакция 196Hg80(n,gamma)197Hg80 ->197Au79, что подтверждается активационным анализом. Нейтронное легирование не приводит к сильным изменениям фотоэлектрических и фотолюминесцентных свойств. Изменение времени жизни неравновесных носителей в CdxHg1-xTe (x~0.2) обусловлено изменением концентрации равновесных носителей заряда, введения же глубоких рекомбинационных центров не наблюдается. В спектре фотолюминесценции нейтронно легированного CdxHg1-xTe (x~0.3) наблюдается появление новой полосы излучения, обусловленной введением акцепторов с энергией ионизации EA=19-22 мэВ. По изменению полуширины полосы излучения проведены оценки концентрации акцепторов NA= 2·1016 см-3 и степени компенсации K=0.85.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.