"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прыжковая проводимость K=0.3-серии образцов Ge : Ga : эффект насыщения, перскоки по ближайшим соседям и переход к прыжкам с переменной длиной
Забродский А.Г., Андреев А.Г., Алексеенко М.В.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

На серии образцов нейтронно легированного Ge : Ga с компенсацией K=0.3 и содержанием N основной примеси Ga от 3.6·1014 см-3 до концентрации Nc=2·1017см-3, соответствующей переходу металл-изолятор, в области гелиевых температур описываются и изучаются: эффект насыщения прыжковой проводимости; закономерности режима перескоков по ближайшим состояниям и переход от него к режиму прыжков с переменной длиной, стимулируемый понижением температуры и увеличением уровня легирования. Область существования последнего из режимов оказывается существенно шире, чем считалось ранее, вплоть до границы слабого легирования Nl=2·1015 см-3 при гелиевых температурах. Находят свое объяснение известные аномалии поведения энергии активации прыжковой проводимости и ее предэкспоненциального множителя в исследуемом материале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.