"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже 550oC в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского
Бабич В.М., Баран Н.П., Доценко Ю.П., Зотов К.И., Ковальчук В.Б., Максименко В.М.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

С помощью эффекта Холла и метода ЭПР исследованы особенности процесса образования и свойства донорных центров (термодоноров), образованных в результате длительных (до 500 ч) отжигов в интервале температур 450/550oC кристаллов n-Si<P> с различным содержанием примеси углерода, выращенных по методу Чохральского. Установлено, что после длительных отжигов происходит разрушение семейства двухзарядных термодоноров с уровнями E1=60/70 и E2=120/150 мэВ, но одновременно с этим образуется два набора мелких однозарядных доноров иной природы, глубина уровней которых лежит в интервале Ei=24/38 мэВ. В работе предполагается возможная природа этих центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.