"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теория инфракрасных фотоприемников на основе структур n-Si-Si1-xGex с квантовыми ямами
Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

Развита теория фотоэлектрических и пороговых характеристик перспективных фотоприемников на основе структур Si-Si1-xGex с квантовыми ямами. Конкретные расчеты проведены для диапазона 8-12 мкм. Проведено сравнение с фотоприемником на основе GaAs-AlxGa1-xAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.