"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Распределение концентрации мелких и глубоких заряженных центров в ионно-легированных бериллием слоях фосфида индия
Абрамов А.А., Захарикова Л.П., Микуленок А.В., Стоянова И.Г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

С помощью метода измерений вольт-фарадных характеристик барьера электролит-полупроводник исследовано распределение носителей заряда в ионно-легированных бериллием слоях фосфида индия. Показано, что метод может быть использован для контроля распределения в слое заряженных ловушек, связанных с радиационными дефектами имплантации. Определены условия, при которых метод позволяет корректно определить распределение концентрации свободных носителей заряда, обусловленных активацией примеси Be. Исследовано поведение Be при различных условиях постимплантационного обычного и быстрого термических отжигов. Отмечается существенное влияние диффузионных процессов при обычном отжиге на распределение свободных дырок в ионно-легированном слое.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.