"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями
Горшкова О.В., Дрозд И.А., Стафеев В.И.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

На примере эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxS показано, что фотоэлектрические свойства некоторых тройных твердых растворов соединений AIV BVI с достаточно сильной зависимостью ширины запрещенной зоны от состава обусловлены органически присущими таким материалам микро- и макронеоднородностями, связанными с флуктуациями состава и концентрации легирующей примеси. Развитые представления подтверждены на модельных объектах --- двухслойных структурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.