"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Усиление фотоплеохроизма в структурах n-p-CdSiAs2-n-In2O3
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

На основе ориентированных монокристаллов p-CdSiAs2 созданы структуры, включающие в себя гомопереход n-p-CdSiAs2 и гетеропереход p-CdSiAs2-n-In2O3. Электрические поля в указанных барьерах имеют встречное направление, что приводит к инверсии знака фототока в зависимости от энергии фотонов и положения плоскости поляризации. Обнаружено явление усиления естественного фотоплеохроизма Pi>100 %, которое наблюдается в окрестности поляризационной инверсии знака фототока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.