"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства пленок TiO2 на кремниевых подложках
Калыгина В.М.1, Новиков В.А.1, Петрова Ю.С.1, Толбанов О.П.1, Черников Е.В.1, Цупий С.Ю.1, Яскевич Т.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Исследовано влияние материала подложки и воздействие кислородной плазмы на микрорельеф и электрические характеристики пленок TiO2, полученных ВЧ магнетронным распылением. Показано, что наиболее сплошные пленки с меньшей шероховатостью получаются при напылении их на кремниевые подложки. Изменение вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур после воздействия кислородной плазмы объясняется диффузией атомов кислорода через пленку оксида титана и появлением слоя SiО2 на границе Si--TiO2.
  • B.S. Richards, J.E. Cotter, C.B. Honsberg, S.R. Wenham. Proc. 28th IEEE PVSC (Anchorage, Alaska, 2000)
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 44, 1266 (2010)
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 130 (2011)
  • В.И. Гаман. Физика полупроводниковых газовых сенсоров (Томск, НТЛ, 2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.