"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К распределению по размерам в трехмерных квантовых точечных кристаллах
Венгренович Р.Д.1, Иванський Б.Д.1, Стасик М.О.1, Панько И.И.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 18 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Рассчитана функция распределения наноточек по размерам в искусственных трехмерных квантовых точечных кристаллах (Si)Ge/Si и In(Ga)As/GaAs, полученных с использованием шаблонов с совершенной периодичностью. Наноточки пирамидальной формы моделировались конусообразными кластерами, для которых была получена формула Томсона, необходимая при выводе скорости роста (растворения) кластеров в процессе оствальдовского созревания. Из результатов сравнения теоретической кривой с экспериментальными гистограммами следует, что само распределение по размерам формируется в процессе оствальдовского созревания и обусловлено особенностями образования квантовых точек Ge и InAs на предварительно текстурированных подложках Si и GaAs.
  • X. Fang, T. Zhai, U.K. Gautan, L. Li, L. Wu, Y. Bando, D. Golbeg. Progr. Mater. Sci., 56, 175 (2011)
  • D.V. Talapin, J.-S. Lee, M.V. Kovalenko, E.V. Shevchenko. Chem. Rev., 110, 389 (2010)
  • I.N. Stranski, L. Krastanov. Sitz. Ber. Oesterr. Akad. Wiss., Meth.-Nat. wiss. Kl.II, 146, 797 (1938)
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterstructures (Wiley, N.Y., 1999)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  • A.V. Osipov, F. Schimitt, S.A. Kukushkin, P. Hess. Appl. Surf. Sci., 188, 156 (2002)
  • D. Grutzmacher, T. Fromherz, Ch. Dais, Ju. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H.H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wimtersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7, 3150 (2007)
  • S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 87, 243 112 (2005)
  • Z. Zhong, A. Halilovic, T. Fromherz, F. Schaftler, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 82, 4779 (2003)
  • J.L. Gray, S. Atha, R. Hull, J.A. Floro. Nano Lett., 4, 2447 (2004)
  • H. Lee, J.A. Johnson, J.S. Speck, P.M. Petroff. J. Vac. Sci. Technol., 18, 2193 (2000)
  • M.H. Baier, S. Watanabe, E. Pelucchi, E. Kapon. Appl. Phys. Lett., 84, 1943 (2004)
  • S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 88, 043 112 (2006)
  • O.G. Schmidt, K. Eberl. IEEE Trans. Electron Dev., 48, 1175 (2001)
  • O.G. Schmidt, N.Y. Jin-Phillipp, C. Lange, U. Denker, K. Eberl, R. Schreiner, H. Grabeldinger, H. Schweizer. Appl. Phys. Lett., 77, 4139 (2000)
  • A. Karmous, A. Cuenat, A. Ronda, I. Berbezier, S. Atha, R. Hull. Appl. Phys. Lett., 85, 6401 (2004)
  • С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (СПб., Наука, 1996) c. 309
  • W. Ostwald. Zs. Phys. Chem., 34, 495 (1900)
  • И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958)
  • I.M. Lifshits, V.V. Slezov. J. Phys. Chem. Sol., 19, 35 (1961)
  • C. Wagner. Zs. Electrochem., 65, 581 (1961)
  • В.В. Слезов. ФТТ, 9, 1187 (1967)
  • В.В. Слезов, В.В. Сагалович. УФН, 151, 67 (1987)
  • Р.Д. Венгренович, Б.В. Иванский, А.В. Москалюк. ЖЭТФ, 131, 1040 (2007)
  • Р.Д. Венгренович, Б.В. Иванский, А.В. Москалюк. УФЖ, 53, 1102 (2008)
  • R.D. Vengrenovich, B.V. Ivanskii, A.V. Moskalyuk. Optoelectron. Rev., 18, 168 (2010)
  • Р.Д. Венгренович, Б.В. Иванский, М.О. Стасик. Металофiзика i новiтнi технологii, 32, 1085 (2010)
  • B.K. Chakraverty. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2401 (1967)
  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  • J.P. Hirth, G.M. Pound. Condensation and Evaporation, Progress in Materials Science, 11 (Pergamon Press, Oxford, 1963)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  • R. Vengrenovich, B. Ivanskii, I. Panko, M. Stasyk. J. Phys. Chem. C, 117 (26), 13681 (2013)
  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171 (7),690 (2001)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
  • R.D. Vengrenovich. Acta Metal., 30, 1079 (1982)
  • В.Г. Дубровский. ФТП, 40 (10), 1153 (2006)
  • S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Rev. Prog. Phys., 72, 046 502 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.