"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S
Алекберов Р.И.1, Исаев А.И.1, Мехтиева С.И.1, Исаева Г.А.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в пленках трехкомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S, легированных самарием. Показано, что спектры КРС состоят из четырех полос, охватывающих интервалы частот 10-100, 195-290, 290-404, 420-507 см-1 и сильно изменяющихся легированием. Установлены структурные единицы в As-Se-S и их возможные изменения при легировании. Полученные результаты объясняются исходя из особенностей распределения атомов самария в образце и их химической активностью.
  • J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal, L.В. Shaw, С.М. Florea, P. Pureza, V.G. Nguyen, F. Kung. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8, 2148 (2006)
  • A. Zakery, S. Elliott. J. Non-Cryst., 330, 1, (2003)
  • J. Sanghera, I. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256, 6 (1999)
  • И.В. Фекешгази, К.В. Май, Н.И. Мателешко, В.М. Мица, Е.И. Боркац. ФТП, 39, 986, (2005)
  • А.М. Настас, А.М. Андриеш, В.В. Бивол, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. Письма ЖТФ, 32, 89 (2006)
  • А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, Р.И. Алекперов, В.3. Зейналов. ФТП, 45, 1026 (2011)
  • А.И. Исаев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, С.И. Мехтиева, И.И. Ятлинко. А. c. N 1512015 (М., 1989)
  • A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov. Sol. St. Commun., 149, iss 1--2, 45 (2009)
  • О.А. Голикова. ФТП, 35, 1370, (2001)
  • Zha Congji, Wang Rongping et al. J. Sci. Mater. Electron., 18, S389 (2007)
  • К.Д. Цендин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., 1996)
  • К.N. Dri, D. Houphouet-Boigny, J.С. Jumas, J. Non-Oxide Glasses, 3 (2), 29 (2012)
  • F. Sava, A. Lorinczi, M. Popescu, G. Sokol, E. Axente, I.N. Mihailscu, M. Nistor. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1367 (2006)
  • M.Ф. Чурбанов, В.С. Ширяев и др. Неорг. матер., 43, 506 (2007)
  • L.P. Kazakova, Е.A. Lebedev, N.В. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyev. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
  • A.I. Isayev, S.I. MeKhtiyeva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov, V.Z. Zeynalov. J. Optoelectron. Adv. Materials-RC, 1 ISS, 8, 368 (2007)
  • M.F. Churbanov, V.S. Shiryaev, I.V. Scripachev et al. J. Non-Cryst. Sol., 284, 146 (2001)
  • Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N. Mott, Е. Davis. Electronic processes in non-cryst. solids]
  • S.G. Bishop, D.A. Tumbull, B.G. Aitken. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 867, (2000)
  • Р.И. Алекберов, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева, Г.Г. Гусейнов, А.С. Амиров. Изв. XXXIII, N 2 (2013)
  • M.S. Iovu, E.I. Kamitsos, C.P.E. Varsamis, P. Boolchand, M. Popescu. Chalcogenide Lett., 2, 21 (2005)
  • V.K. Malinovsky, V.N. Novikov, P.P. Parshin, A.P. Sokolov, M.G. Zemlyanov. Europhys. Lett., 11, 43 (1990)
  • M.И. Клингер. УФН, 152, 623 (1989)
  • U. Buchenau, Yu.M. Galperin, V.L. Gurevich, H.R. Shober. Phys. Rev. B, 43, 5039 (1991)
  • J.R. Graebner, B. Golding. Phys. Rev. B, 34, 5788 (1986)
  • J.L. Wang, J.С. Tsai, С.Т. Liu. J. Appl. Phys., 88, 2533 (2000)
  • V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst. Sol., 326\& 327, 88 (2003)
  • A.V. Stronski, M. Vicek, S.A. Kostyukevych et al. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 5, 284 (2002)
  • T. Cardinal, K.A. Richardson, H. Shim et al. J. Non-Cryst. Sol., 256\& 257, 353 (1999)
  • С. Lopez, K.A. Richardson, R. Valee et al. Photo--Induced Changes in Arsenic-Based Chalcogenides, PAPER, \#CThP2512, CLEO'04/San Francisco, 2004
  • M. Terao et al. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 61 (1972)
  • С.W. Thompson, N.G. Gingrich. J. Chem. Phys., 31, 1598 (1959)
  • M. Vleck, A.V. Stronski, A. Sclenar, T. Wagner, S.O. Kasap. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 964 (2000)
  • M.W. Elmiger. Diss. Doct. of Natural sciences, Swiss federal institute of technology (Zurich, 1988).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.