"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности двухкомпонентного распада молекул моносилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса
Ивина Н.Л.1,2, Орлов Л.К.1,3
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Академия при Президенте Российской Федерации, РАНХ и ГС (кафедра информатики и информационных технологий), Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

С использованием результатов технологических экспериментов на базе двухкомпонентной кинетической модели (SiH4->SiH3+SiH) определена область характерных частот распада радикалов молекул гидридов кремния, адсорбируемых поверхностью роста слоя в диапазоне температур 450-700oC, и оценена степень покрытия поверхности кремния радикалами SiHj в условиях эпитаксиального роста. Определены характер температурных зависимостей степени заполнения поверхности отдельными фрагментами молекул и скорости их распада на поверхности кремния в различных режимах, соответствующих постоянству во всем температурном интервале отношения концентраций радикалов моносилана (SiH=gSiH3), либо постоянству скоростей их распада (nuSiH3=xinuSiH). Показано, что наблюдаемый вид температурной зависимости скорости распада молекул на поверхности роста не описывается простыми кривыми активационного типа, что связано c особенностями взаимодействия молекулярного пучка гидрида с поверхностью Si в условиях низкого и высокого уровней заполнения поверхностных связей водородом. Рассмотрено влияние на вид температурных зависимостей характера адсорбции атомов водорода и различных условий их перехода с молекулы на поверхность роста.
  • D.V. Brunev, A.N. Karpov, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya. Int. J. Nanosci., 3, 9 (2004)
  • A.K. Myers-Beaghton, D.D. Vvedenski. Phys. Rev. B, 42, 9720 (1990)
  • И.Л. Алейнер, Р.А. Сурис. ФТТ, 34, 1522 (1992)
  • К. Werner, S. Butzke, S. Radelaar, F. Balk. J. Cryst. Growth, 136, 338 (1994)
  • R.D. Smardon, G.P. Srivastava. J. Chem. Phys., 123, 174 703 (2005)
  • R.Q.M. Ng, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 131, 044 707 (2009)
  • A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  • Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ФТП, 45, 566 (2011)
  • Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ЖТФ, 82, 83 (2012)
  • K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989)
  • C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
  • R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
  • A.V. Potapov, L.K. Orlov. Phys. Stаtus Solidi C, 195, 853 (2003)
  • А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004)
  • J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164 713 (2007)
  • M. Shinohara, A. Seyama, Y. Kimura, M. Niwano. Phys. Rev. B, 65, 075 319 (2002)
  • A. Yoshigoe, K. Mase, Y. Tsusaka, T. Urisu, Y. Kobayashi, T. Ogino. Appl. Phys. Lett., 67, 2364 (1995)
  • S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  • K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  • B.A. Ferguson, C.T. Reeves, D.J. Safarik, C.B. Mullins. J. Phys. Chem., 113, 2470 (2000)
  • U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
  • Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39, 1320 (2005)
  • Л.К. Орлов, С.В. Ивин, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 30, 88 (2013)
  • Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83 (12), 1952 (2013)
  • Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 32, 42 (2013)
  • A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.