"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Памяти Михаила Николаевича Заргарьянца 10.07.1933-11.10.2013
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

[!t] [scale=0.98]zag.eps 11 октября 2013 г. на восемьдесят первом году жизни скончался известный ученый в области полупроводниковых лазеров, оптоэлектроники и интегральной оптики, действительный член Оптического общества им. Д. С. Рождественского, кандидат физико-математических наук Михаил Николаевич Заргарьянц. Ушел из жизни замечательный исследователь, изобретатель, стоявший у истоков отечественной полупроводниковой квантовой электроники, создатель первых в СССР (1965 год) инжекционных лазеров непрерывного действия на арсениде галлия. Заслугой Михаила Николаевича перед отечественной наукой и техникой является не только цикл исследований стимулированного и спонтанного излучения p-n-переходов на основе GaAs и гетероструктур на основе GaAs-GaAlAs, но также разработка и внедрение на заводе Министерства оборонной промышленности технологии производства излучающих диодов и полупроводниковых квантовых генераторов (ПКГ) для различных оборонных комплексов: ИП-3 и ИП-3Д для полевых дальномеров; ИПД-1 для систем ориентации баллистических шахтных ракет; ПКГ-4 для систем управления противотанковой ракетой; ПКГ-3 для систем передачи информации с космических аппаратов на Землю; ПКГ-6 для командной системы противотанковых управляемых реактивных снарядов; ПКГ-9 для излучателя оптического взрывателя и др. В исследованиях, выполненных в НИИ "Прикладной физики" (позже НПО "ОРИОН") под руководством Михаила Николаевича, было показано, что рекомбинационное (спонтанное) и лазерное (стимулированное) излучение p-n-перехода во всем диапазоне прямых токов обусловлено только диффузионной составляющей при надбарьерной инжекции носителей зарядов. В разработке ПКГ для военной техники были решены проблемы теплоотвода, повышения надежности и срока службы ПКГ, охлаждаемых жидким азотом (температура T=78 K, длина волны lambda=0.84 мкм) и неохлаждаемых (T=300 K, lambda=0.9 мкм). Под руководством Михаила Николаевича сформировался коллектив молодых специалистов в области полупроводниковой квантовой электроники. Он был руководителем более 40 дипломников и нескольких аспирантов. Под его руководством были разработаны на основе полупроводниковых инжекционных лазеров и многослойных полупроводниковых гетероструктур оптоэлектронные устройства и монолитные интегрально-оптические системы. Талант физика-исследователя, технолога и инженера особенно ярко проявился в создании фотокатода с отрицательным электронным сродством на основе арсенида галлия, давшего начало разработке и производству электронно-оптических преобразователей (ЭОП) третьего поколения. Полученная Михаилом Николаевичем интегральная чувствительность фотокатода из GaAs ~1500 мкА/лм вполне соответствует современному уровню параметров ЭОП. Эта работа была высоко оценена в Академии наук СССР и в промышленности. Технология изготовления фотокатода, разработанная под руководством Михаила Николаевича, была внедрена на новосибирском заводе "Экран" Министерства электронной промышленности СССР. Михаил Николаевич Заргарьянц --- автор более 100 научных работ и 30 изобретений. Он награжден медалью "Заслуженный машиностроитель", шестью медалями ВДНХ, почетным дипломом Оптического общества им. Д. С. Рождественского. В исследованиях и опытно-конструкторских работах, проводимых Михаилом Николаевичем, проявился не только талант ученого и инженера, но также его бойцовский характер, целеустремленность, работоспособность, временами ершистость в интересах дела и бескомпромиссность. Иногда с ним было трудно, но всегда интересно иметь дело. Высокий профессионализм и кипучая энергия в работе были главными чертами его личности. Его друзья и соратники в труде всегда будут помнить неугомонного исследователя, изобретателя, влюблённого в свою работу ученого, внесшего большой вклад в практическую квантовую электронику и интегральную оптику. Коллеги и друзья из НПО ОРИОН", НПО Альфа", редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  • D.V. Brunev, A.N. Karpov, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya. Int. J. Nanosci., 3, 9 (2004)
  • A.K. Myers-Beaghton, D.D. Vvedenski. Phys. Rev. B, 42, 9720 (1990)
  • И.Л. Алейнер, Р.А. Сурис. ФТТ, 34, 1522 (1992)
  • К. Werner, S. Butzke, S. Radelaar, F. Balk. J. Cryst. Growth, 136, 338 (1994)
  • R.D. Smardon, G.P. Srivastava. J. Chem. Phys., 123, 174 703 (2005)
  • R.Q.M. Ng, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 131, 044 707 (2009)
  • A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  • Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ФТП, 45, 566 (2011)
  • Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ЖТФ, 82, 83 (2012)
  • K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989)
  • C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
  • R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
  • A.V. Potapov, L.K. Orlov. Phys. Stаtus Solidi C, 195, 853 (2003)
  • А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004)
  • J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164 713 (2007)
  • M. Shinohara, A. Seyama, Y. Kimura, M. Niwano. Phys. Rev. B, 65, 075 319 (2002)
  • A. Yoshigoe, K. Mase, Y. Tsusaka, T. Urisu, Y. Kobayashi, T. Ogino. Appl. Phys. Lett., 67, 2364 (1995)
  • S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  • K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  • B.A. Ferguson, C.T. Reeves, D.J. Safarik, C.B. Mullins. J. Phys. Chem., 113, 2470 (2000)
  • U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
  • Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39, 1320 (2005)
  • Л.К. Орлов, С.В. Ивин, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 30, 88 (2013)
  • Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83 (12), 1952 (2013)
  • Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 32, 42 (2013)
  • A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.