Проведен анализ токового переходного процесса в полупроводнике с барьерным контактом. Выявлен новый тип переходного процесса, связанный с компонентой тока эмиссии носителей заряда из контакта в период термической перезарядки примесных центров, которая обусловливает появление минимума полного тока при изменении его во времени. Найдено условие наблюдения минимума и получены соотношения, позволяющие определять параметры полупроводниковых структур и примесных центров по характеристикам переходного тока. Приведены экспериментальные данные по токовому переходному процессу обратно смещенных структур n⁺-pi-p⁺-GaAs<Fe>, поведение которого описывается в рамках рассмотренной модели. Происхождение отрицательных пиков в токовых релаксационных спектрах однозначно связано с преобладанием тока эмиссии из контакта над током термической эмиссии перезаряжающихся примесных центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.