В полуизолирующих кристаллах CdTe исследованы эффект Холла, поперечное магнитосопротивление в зависимости от температуры и интенсивности освещения. Анализ полученных результатов проводился в рамках модели смешанной проводимости и модели неоднородного полупроводника с крупномасштабным потенциальным рельефом (КПР). Показано, что резкий рост холловской подвижности в узком интервале температур вблизи комнатной, наблюдаемый в образцах n-типа, можно объяснить, используя модель неоднородного полупроводника; при этом амплитуда КПР изменяется с температурой из-за резкого возрастания концентрации экранирующих носителей. Большое разнообразие температурных зависимостей холловской подвижности в полуизолирующих кристаллах объясняется различными амплитудой КПР и картиной заполнения глубоких уровней.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.