"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок p-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях
Муравьев А.В., Нефедов И.М., Ноздрин Ю.Н., Шастин В.Н.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Представлены результаты эксперимента и численного моделирования по влиянию анизотропии зонной структуры на стимулированное излучение на межподзонных переходах дырок Ge в скрещенных электрическом и магнитном нолях. Измерены значения угла Холла в исследуемых образцах Ge в режиме генерации стимулированного излучения. Обсуждается оптимальная ориентация прикладываемых полей относительно кристаллографических направлений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.