"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах
Соколова З.Н., Халфин В.Б.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Рассмотрено влияние сложной структуры валентной зоны на скорость излучательной рекомбинации в гетероструктурах с квантовыми ямами (КЯ) на соединениях АШВV. Исследованы разные модели как с бесконечно глубокими КЯ, так и с КЯ конечной глубины для электронов и дырок. Для "дырочной" КЯ бесконечной глубины рассчитаны энергетические спектры и матричные элементы оптических переходов между состояниями в зоне проводимости и валентной зоне (как "разрешенные", так и "запрещенные"), на основе чего определены зависимости излучательных времен жизни от толщины КЯ (d). Установлено, что при d>~=75 Angstrem все модели, учитывающие и не учитывающие сложную структуру валентной зоны, дают результаты, близкие к чисто объемным значениям времен жизни. При меньших толщинах в модели простой зоны время жизни перестает зависеть от d, что соответствует двумерному пределу. Для сложной же зоны в интервале 30-75 Angstrem время жизни падает с уменьшением d, имитируя трехмерное поведение, что объясняется особенностями энергетического спектра нижних уровней размерного квантования дырок в сложной валентной зоне.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.