"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых p-n-структурах
Аникин М.М., Евстропов В.В., Попов И.В., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Показано, что в эпитаксиальных p-n-структурах на основе карбида кремния политипа 6H, полученных методом сублимации с ионным легированием и методом жидкофазной эпитаксии, при прямом смещении в диапазонах температур 300-800 K и токов 10-4-100 А/см2 существует термоинжекционный ток J=J0exp (qU/beta kT), характеризующийся неклассическим значением (beta=6/5, не зависящим от температуры. При этом предэкспоненциальный множитель J0 зависит от обратной температуры экспоненциально с энергией активации Ea~ Eg/beta. Экспериментальные данные удовлетворяют термоинжекционной модели --- расширенной теории Шокли-Нойса-Саа: рекомбинации в слое объемного заряда p-n-перехода через многоэлектронный центр. Под полученным в работе значением beta=6/5 подразумевается пятиэлектронный центр с 4 мелкими (термализованными) и 1 глубоким (нетермализованным) уровнями. Обнаружено, что много электронные рекомбинационные центры в структурах, полученных методом жидкофазной эпитаксии, отличаются от центров в структурах, полученных методом сублимации и ионного легирования, меньшей глубиной залегания мелкого уровня.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.