"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
Кюрегян А.С., Юрков С.Н.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

На основе тщательного анализа всех опубликованных данных по измерениям коэффициентов ударной ионизации электронами alphan и дырками alphap в полупроводниках получены наиболее правдоподобные аналитические зависимости alphan,p от напряженности электрического поля E. Эти зависимости использованы для численных расчетов напряжения лавинного пробоя Ub резко асимметричных, линейных и диффузионных p-n-переходов в Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP в широком диапазоне значений параметров. Результаты расчетов представлены в виде графиков и простых интерполяционных формул, пригодных для выполнения инженерных расчетов. Отмечена аномально высокая электрическая прочность фосфида индия и карбида кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.