Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого CdxHg1-xTe в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения при раскрытии энергетической щели
Гасан-заде С.Г.1, Сальков Е.А.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
В бесщелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x=0.04-0.16) получены магнитополевые и деформационные зависимости фотоэлектрических, фотомагнитных, а также фототермомагнитных характеристик при раскрытии энергетической щели. При возбуждении ИК излучением обнаруживается резкий рост фотосигнала с увеличением магнитного поля либо одноосной упругой деформации. В области квантового предела проявляются осцилляции большой амплитуды, связанные с участием в рекомбинации продольных оптических фононов. В миллиметровой области спектра проявляется гигантская осцилляция фотоотклика, связанная с изменением концентрации электронов. Последнее подтверждается полевой зависимостью фотоэффекта Холла. Показано, что фототермомагнитный эффект является дифференциальным сигналом по отношению к сигналу фотопроводимости.
- R. Dornhaus, G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow-Gap Semiconductors (Berlin, Heidelberg, N.Y., Tokio: Springer Verlag, 1985).
- С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 39, 553 (1984)
- Ю.Г. Арапов, А.Б. Давыдов, Г.Л. Штрапенин. ФТП, 18, 1185 (1984)
- Ю.Н. Гаврилюк, С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 13, 1640 (1979); S.G. Gasan-zade, E.A. Sal'kov, G.A. Shepelsky. Digest of 2nd Int. Conf. on Millimeter Wave and Far-Infrared Technology (Beijing, China, 1992) p. 278
- I.M. Tsidilkovski, G.I. Harus, N.G. Shelushinina. Adv. Phys., 34, 43 (1985)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., 1972)
- Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 45, 100 (1989)
- А.В. Германенко, Г.М. Миньков, Е.Л. Румянцев, О.Е. Рут. ЖЭТФ, 97, 242 (1988)
- Н.С. Барышев. Матер. IV Всес. симп. "Полуметаллы и полупроводники с узкой запрещенной зоной" (Львов, 1975) ч. 5, с. 7
- Р.И. Лягущенко, Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, С.С. Шалыт, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 10, 2241 (1968)
- С.Д. Лазарев, Г.А. Шепельский, Г.Д. Ефремова. ФТТ, 12, 1718 (1970)
- Ю.Н. Гаврилюк, С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 11, 1571 (1977)
- Ш.М. Коган. ФТТ 4, 1891 (1962)
- А.А. Маненков, Г.Н. Михайлова, А.С. Сеферов, В.Д. Чернецкий. ФТТ, 16, 2719 (1974)
- А.Н. Выставкин, Ш.М. Коган, Т.М. Лифшиц, П.Г. Мельник. Радиотехника и электроника, 8, 994 (1963)
- V.A. Pogrebnyak, D.D. Khalamwida, V.V. Yakovenko. Sol. St. Commun, 68, 891 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук