Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Построена теория переходных ионных процессов в диэлектрическом слое с однородным распределением ловушек по объему. Показано, что свободные ионы, сосредоточенные у поверхности, оказываются заключенными в потенциальную яму, обусловленную отталкиванием от носителей заряда, захваченных на ловушки. В этой связи энергия активации тока свободных ионов больше, чем энергия активации подвижности, и уменьшается с ростом напряжения, а опустошение ловушек происходит с запаздыванием. Температурная зависимость тока деполяризации содержит два или три пика, положение и форма которых изменяются с напряжением. Отличительной особенностью перетекания ионов по изолятору с ловушками является "память" об электрическом поле, прижимавшем носители заряда к поверхности до начала переходного процесса.
- T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
- M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
- Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
- T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 51, 4269 (1980)
- А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
- К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М. Мир, 1994) т. 2, с. 56
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.Н. Пономарев. ФТП, 28, 1947 (1994)
- R. Chen, Y. Kirsh. Analysis of Thermally Stimulated Processes; Science of the Solid State (N.Y., Pergamon, 1981) v. 15
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук