Рассмотрены существующие методы диагностики временной нестабильности параметров границы раздела полупроводник--диэлектрик с глубокоуровневыми центрами. Предложен метод определения временной нестабильности по длительной изотермической релаксации емкости структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Определен энергетический спектр эффективной плотности поверхностных состояний в структурах n-InP--SiO2--Al, изготовленных химическим осаждением в паровой фазе. Изменение емкости в ходе длительной изотермической релаксации является критерием временной нестабильности границы раздела диэлектрик--полупроводник.
J. Tardy, I. Thomas, P. Viktorovich, M. Gendry, J.L. Perrossier, C. Santinelli, M.P. Besland, P. Lous, G. Post. Appl. Surf. Sci., 50, 383 (1991)
М.О. Бакшин, А.В. Емельянов, О.Д. Меньшиков, С.М. Портнов, В.Б. Уфимцев. Электрон. техн., Сер. 3, Микроэлектроника, 1, 32 (1990)
М.О. Бакшин, А.В. Емельянов, С.М. Портнов, Н.С. Самсонов. Электронная промышленность, 6/92, 2 (1992)
P.V. Staa, H. Rombach, R. Kassing. J. Appl. Phys., 54, 4014 (1983)
D. Vuilaume, J.C. Bourgoin, M. Lanoo. Phys. Rev. B, 34, 1171 (1986)
H. Lakhadri, D. Vuilaume, J.C. Bourgoin, M. Lanoo. Phys. Rev. B, 38, 13 124 (1988)
H. Hasegawa, Li He, H. Ohno, T. Sawada, T. Haga, Y. Abe, H. Takahashi. J. Vac. Sci. Techn. B, 5, 1097 (1987)
V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов [Пер. с англ.] (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 7, с. 456
E.H. Niccollian, J.R. Brews. Mos (Metal--Oxide--Semiconductor). Physics and Technolohy (N. Y., 1982) p. 972
Л.С. Берман, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Н.В. Остроумова. ФТП, 27, 917 (1993)
K. Yamasaki, M. Yoshida, T. Sugano. Jpn. J. Appl. Phys., 18, 113 (1979)
Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт ФТИ, N 974 (Л., 1985) с. 25