Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распределение глубокоуровневых центров по глубине в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Для определения профиля концентрации глубокоуровневых центров в диэлектрике на границе раздела с полупроводником был использован метод постоянной емкости с длительным измерением временной зависимости напряжения, что позволило увеличить разрешение по глубине. Измерено распределение глубокоуровневых центров в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия. Показано, что в интервале 22/27 Angstrem от границы раздела концентрация глубокоуровневых центров не зависит от координаты.
- J. Tardy, T. Thomas, P. Viktorovich, M. Gendry, J.L. Perrsier, C. Santinelli, M.P. Besland, P. Louis, G. Post. Appl. Surf. Sci., 50, 383 (1991)
- H. Lakhadri, D. Vuilaume, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 13124 (1988)
- J.A. Pals. Sol. St. Electron., 17, 1139 (1974)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- Л.С. Берман. ФТП 31, 78 (1997)
- V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
- Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт ФТИ N 974 (Л., 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
