Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик--арсенид галлия
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия 
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Исследовано влияние отжига импульсным лазерным излучением с длинами волн 0.69 и 308 мкм на вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики и плотность поверхностных состояний границы раздела диэлектрик-(n,p)-GaAs в зависимости от плотности энергии излучения.
- Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Т.В. Белич, И.А. Карпович. ФТП, 26, 1383 (1992)
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненков, Н.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, 46 (1995)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. Поверхность, вып. 12, 80 (1994)
- В.А. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1406 (1991)
- M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dangan. Appl. Phys. Lett., 53, 60 (1988)
- S. Cassette, F. Plais, J. Olver. Surf. Interf. Anal. 16, 1 (1991)
- T. Sugino, T. Yamada, K. Matsuda, J. Shiraafuju. Appl. Sur. Sci., 56--68, pt A, 311 (1992)
- J.R. Waldrop, R.W. Grant. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1015 (1988)
- K. Kjyanagy, S. Kasar, H. Hasegava. Japan. J. Appl. Phys., 32, 502 (1993)
- S.A. Chambers, V.S. Sundaram. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2256 (1991)
- Многослойная тонкопленочная структура. Мацумото йосинари; ниппон дэнки к. к. Заявка 60-223134, Япония. Заяв. 19. 4. 84. N 59-74957, опубл. 7.11.85. МКИ H 01 L21/314, C23C16/30
- Г.Ю. Багратишвилли, Р.П. Джанелидзе, Н.И. Курдиана и др. Электрон. техн. Сер. 2, Полупроводниковые приборы, 67, 31 (1972)
- M. Yoichi, W. Kazumi, W. Yoshinori. Appl. Phys. Lett., 61, 2993 (1992)
- В.П. Воронков, В.М. Калыгина, С.Ю. Муленков, Е.И. Оборина, Е.Г. Сальман, Т.П. Смирнова. ФТП, 26, 1121 (1992)
- Т.П. Смирнова, Л.В. Храмова, И.К. Яшкин. Неорг. матер., 28, 1414 (1992)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, 1984)
- В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова. Изв. вузов. Физика, 35, вып. 11, 99 (1992)
- В.И. Гаман, В.М. Калыгина, А.В. Панин, Т.П. Смирнова. Поверхность, вып. 5, 18 (1995)
- В.И. Емельянов, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, 77 (1990)
- П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность, вып. 6, 5 (1995)
- А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, В.Ф. Киселев. Поверхность, вып. 5, 97 (1993)
- И.С. Беличев, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Вест. МГУ. Сер. 3, 30, 77 (1989)
- H. Okigawa, T. Nakayama, K. Talayama, N. Itoh. Sol. St. Commun., 49, 347 (1984)
- Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М.,1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
