Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2/ 0.3) с тонкопленочным алюминиевым покрытием
Салаев Э.Ю.1, Гусейнов Э.К.1, Тезер Атеш2, Исмайлов Н.Д.1
1Институт фотоэлектроники Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2ТУБИТАК, Мармара Исследовательский Центр, Гебзе, Турция
Поступила в редакцию: 13 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Приведены результаты экспериментального исследования фотопроводимости n- и p-CdxHg1-xTe (x=0.2/0.3) при нанесении на поверхность тонких пленок алюминия. Анализ полученных результатов проведен с учетом влияния приповерхностной области пространственного заряда и рекомбинации в ней. Из измерений фотопроводимости и барьерного фототока определены значения скорости поверхностной рекомбинации и поверхностной подвижности носителей заряда.
- Н.Р. Ангин, В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.Р. Пашковский. Зарубежн. электрон. техн., 5, 49 (1984)
- Е.П. Мацасс, А.И. Власенко, Е.А. Сальков, О.В. Снитко, А.В. Любченко, УФЖ, 26, 670 (1981)
- А.Я. Вуль, К.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 5, 932 (1979)
- E.K. Guseinov, N.D. Ismailov. Turkish J. Phys., 18, 660 (1994)
- Э.К. Гусейнов, Н.Д. Исмайлов. ФТП, 29, 1790 (1995)
- D.J. Peterman, D.J. Friedman, Appl. Phys. Lett., 42, 886 (1980)
- В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.В. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Радио и связь, 1977)
- А.Я. Вуль, К.В. Санин, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинченко, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1471 (1983)
- В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, А.В. Криулин, Д.А. Марцулов, М.С. Никитин, А.Ю. Никофоров, А.С. Петров, А.А. Умеренко. Микроэлектроника, 16, 407 (1987)
- М.Е. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук