Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния

Кашкаров П.К.¹, Константинова Е.А.¹, Петрова С.А.¹, Тимошенко В.Ю.¹, Юнович А.Э.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 26 июня 1996 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована фотолюминесценция пористого кремния в интервале температур от 300 до 400 K. Обнаружено, что экспериментальные результаты хорошо объясняются в рамках модели излучательной рекомбинации экситонов в кремниевых наноструктурах. Энергии связи экситонов по численным оценкам, полученным из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей, составили ~ 0.2 эВ.

K. Jung, S. Shih, D. Kwong. J. Electrochem. Soc., 140, 346 (1993)
М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 871 (1993)
С.В. Свечников, А.В. Саченко, Г.А. Сукач, А.М. Евстигнеев, Э.Б. Каганович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 27, 3 (1994).
J.B. Xia, K.W. Cheah. Appl. Phys. A, 59, 227 (1994)
C. Perry. Appl. Phys. Lett., 60, 3117 (1992)
G. Mauckner, K. Thonke, T. Baier, T. Walter, R. Sauer. J. Appl. Phys., 75, 4167 (1994)
J. Oswald, J. Pastrnak, A. Hospodkova, J. Pangrac. Sol. St. Commun., 89, 297 (1994)
G.W.'t. Hooft, Y.A.R.R. Kessener, G.L.J.A. Rikken, A.H.J. Venhuizen. Appl. Phys. Lett., 61, 2344 (1992).
А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1846 (1993)
T. Suemoto, K. Tanaka, A. Nakajima. Phys. Rev. B, 49, 11 005 (1994)
П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, С.А. Петрова. ФТП, 28, 100 (1994)
В.Г. Гайворон, Ю.Ф. Огрин, Т.П. Колмыкова, В.И. Сидоров. Письма ЖТФ, 20, вып. 8, 70 (1994).
P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead. J. Phys.: Condens. Matter., 5, L91 (1993)
G.D. Sanders, Y.-C. Chang. Phys. Rev. B, 45, 9202 (1992).
В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. Электронные явления в адсорбции и катализе на поверхности полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1979).
Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko. J.Appl. Phys., 75, 5436 (1994)
Th. Dittrich, P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko. Thin Sol. Films, 255, 74 (1995)
R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 70, R1 (1992)
C. Delerue, G. Allan, M. Lanoo. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993).
В.С. Бабиченко, Л.В. Келдыш, А.П. Силин. ФТТ, 22, 1238 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель