"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Использование низкотемпературного излучателя для исследования спектральных характеристик инфракрасных фотоприемников
Васильев В.В.1, Машуков Ю.П.1, Овсюк В.Н.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Рассматривается метод определения длины волны отсечки lambdac спектра фоточувствительности инфракрасных фотоприемников, использующий измерение двух фотосигналов, полученных от двух тепловых источников излучения, имеющих различные температуры. Показано, что для lambda~= 10-14 мкм целесообразно использовать тепловые источники с пониженной температурой. Проведено измерение фотосигнала элемента фотодиодной линейки на p-CdxHg1-xTe с x=0.225 для теплового излучателя, температура которого изменялась в пределах 150--450 K. Из сравнения экспериментальной кривой с расчетной вычислены значения lambdac для нескольких температурных диапазонов. Вычислены поправки к lambdac, связанные с отклонением реального спектра фоточувствительности от идеализированного. Высказаны соображения по поводу выбора оптимального температурного диапазона для излучателей.
  • A. Rogalski, I. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  • R.M. Liberati, N. Sparvieri, M.Marini. Infr. Phys., 31, 361 (1991)
  • Р. Хадсон. Инфракрасные системы (М., Мир, 1972)
  • Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., Атомиздат, 1976)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.