"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Нестационарная термоэдс в многослойных структурах с p-n-переходами
Агарев В.Н.1
1Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Показано, что нестационарная термоэдс, возникающая в многослойных структурах с p-n-переходами с характерными временами нарастания и спада порядка секунды, может на несколько порядков превышать стационарную термоэдс в однородном полупроводнике. Подобный эффект может наблюдаться как в поликристаллических пленках, так и в искусственно созданных многослойных структур с p-n-переходами с тонкими слоями и может быть использован для создания сверхчувствительных датчиков температуры.
  • Э.И. Адирович, В.М. Рубинов, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 164, 529 (1965)
  • Э.И. Адирович, В.М. Рубинов, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 174, 545 (1967)
  • Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 188, 1254 (1969)
  • В.И. Стафеев. ФТП, 6, 2134 (1972)
  • В.Н. Агарев. Письма в ЖТФ, 3, вып. 13, 626 (1977)
  • В.Н. Агарев. ФТП, 14, 1018 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.