"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики
Сизов Ф.Ф.1, Козырев Ю.Н.2, Кладько В.П.1, Пляцко С.В.1, Огенко В.М.2, Шевляков А.П.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт химии поверхности Национальной академии наук Украины, Украина
Поступила в редакцию: 3 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с ориентацией (100) и (111) получены эпитаксиальные слои Si, Ge, Si1-xGex и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Изучены процессы роста указанных структур и методами рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии исследованы их структурные характеристики и химический состав. В частности показано, что при рассмотренных режимах получения сверхрешеток Si/Si1-xGex могут быть получены структурно совершенные напряженные сверхрешетки с числом сателлитов вплоть до ±5 порядка.
  • S.C. Jain, J.R. Willis, R. Bullough. Adv. Phys., 39, 127 (1990)
  • G. Abstreiter. Engineering the future of electronics (Physics World, 1992) p. 36
  • F.F. Sizov. In: Infrared Photon Detectors, ed. by A. Rogalski. SPIE Optical Engineering Press (Bellingham, Washington, 1995) p. 561
  • R.A. Metzger. Compound Semicond., 1, N 3, 21 (1995)
  • K.Eberl, W. Wegscheider, G. Abstreiter. J. Cryst. Growth, 111, 882 (1991)
  • B.M. Clemens, J.G. Gay. Phys. Rev. B, 35, 9337 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.