"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке
Шашкин В.И.1, Каретникова И.Р.1, Мурель А.В.1, Нефедов И.М.1, Шерешевский И.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Предложен простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из вольт-фарадных измерений при электрохимическом травлении. Метод дает возможность определять профиль легирования непосредственно от поверхности полупроводника и обеспечивает разрешение на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Результаты численных расчетов подтверждают возможность восстановления профиля легирования полупроводников с разрешением на уровне единиц нанометров.
  • E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor contacts (1988)
  • M.M. Faktor, T. Ambridge, E.G. Bremner. Apparatus and method for measuring carrier concentration in semiconductor materials [U.K. Patent Specification No. 1482929 (1975)]
  • M.M. Faktor, T. Ambridge, C.R. Elliot, J.C. Regnault. Current topics in Material Science, ed. by E. Kuldis (1980) v. 6. p. 1
  • P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  • W.C. Johnson, P.T. Panousis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-18, 965 (1971)
  • G.J.L. Ouwerling. Sol.-St. Electron., 33, 757 (1990)
  • K. Iniewski, C.A.T. Salama. Sol.-St. Electron., 34, 309 (1991)
  • M.F. Kokorev, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.F. Zhukov. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 161.
  • В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
  • L.H. Holway. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-37, 1104 (1990)
  • И.В. Ирин. А.В. Мурель. ПТЭ, 6, 150 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.