"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инверсия типа проводимости эпитаксиальных пленок твердых растворов PbSnTe при воздействии лазерного излучения допороговой мощности
Греков Ю.Б.1, Семиколенова Н.А.2, Шляхов Т.А.1
1Омский государственный университет, Омск, Россия
2Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследованы процессы инверсии типа проводимости в эпитаксиальных пленках Pb1-xSnxTe при воздействии непрерывного излучения CO2-лазера (lambda=10.6 мкм) допороговой мощности. Предполагается, что стабильное инверсионное состояние возникает вследствие образования нейтральных бивакансий металла и халькогена.
  • К.Д. Товстюк, Г.В. Пляцко, В.Б. Орлецкий и др. УФЖ, 21, 531 (1976)
  • Е.А. Горин, И.А. Бережная, Д.А. Генералова, С.Н. Емелин, Г.И. Янко. ФТП, 16, 1687 (1982)
  • О.М. Савенко, Ю.Б. Греков, А.С. Семиколенов. II Всес. конф. по физико-химическим основам технлогии сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород, 1993) с. 190
  • В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 58 (1985)
  • Т.Т. Дедегкаев, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова, Д.А. Яськов. Письма ЖТФ, 6, 1030 (1980)
  • R. Breshi, A. Camansi, V. Fano. J. Cryst. Growth, 5, 399 (1982)
  • H. Heinrich. Lect. Not. Phys., 133, 407 (1979)
  • С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, Ф.Ф. Сизов. Квант. электрон. (Киев, Наук. думка) вып. 29, 93 (1985)
  • Ш.Ш. Башкиров, А.Б. Либерман, С.С. Царевский, Р.А. Насыбуллин. ФТТ, 30, 281 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.