"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости
Наумова О.В.1, Смирнов Л.С.1, Стась В.Ф.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V--O--C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния (I) и углерода (Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1) I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2) I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].
  • Л.С. Смирнов, С.И. Романов. ФТП, 10, 876 (1976)
  • Н.Н. Герасименко, Н.П. Кибалина, В.Ф. Стась. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1979) с. 78
  • А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, 1991)
  • Л.С. Берман, В.Б. Шуман. ФТП, 10, 1755 (1976)
  • Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brower. Phys. St. Sol. (a), 41, 637 (1977)
  • B.G. Svenson, J.L. Lindstrom, J.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 47, 841 (1985)
  • J.L. Lindstrom, B.G. Svenson. In: Mater. Sci. Forum. Defects in Semiconductors (1989) v. 38--41, p. 45
  • Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 13, 2653 (1976)
  • И.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич, В.В. Шуша. ФТП, 13, 401 (1979)
  • R.V. Tayke, B.J. Faraday. In: Symposium in Lattice Defects in Semiconductors (Univ. Tokyo Press., 1966) p. 170
  • Э.Г. Батыев, Н.Н. Герасименко, А.В. Ефанов. ФТП, 15, 1448 (1981)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • U. Gosel. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 149 (1989)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1980)
  • Gr. Davies, E.C. Lightowles, R.C. Newman, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
  • A. Dornen, R. Sauer, G. Pensl. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 545 (1989)
  • Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, А.А. Золотухин. В кн.: Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1980) с. 350
  • L.C. Kimerling. Sol. St. Commun., 16, 171 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.