"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии
Антонова И.В.1, Мисюк А.2, Попов В.П.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электронной технологии, Варшава, Польша
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Проведено исследование начальной стадии формирования кислородных преципитатов в кремнии с использованием методов DLTS, селективного травления в инфракрасной спектрометрии. Установлено, что формирование кислородных преципитатов при Ta=600/ 960oC идет путем возникновения локальных областей, обогащенных межузельным кислородом. С ростом времени отжига размеры этих областей уменьшаются, а локальная концентрация кислорода в них возрастает и начиная с некоторой критической концентрации кислорода происходит переход к фазе SiO2. Гидростатическое давление, используемое на стадии формирования, приводит к образованию более мелких преципитатов и ускоряет переход к фазе SiO2.
  • A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
  • J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys., 71, 1073 (1992)
  • S.W. Hu. Mater. Res. Soc. Symp., 59, 249 (1986)
  • N. Inoue, K. Wada, J. Osaka. J. Cryst. Crowth, 84, 21 (1987)
  • G.S. Oehrlein, J.L. Lindstrom, J.M. Corbett. Appl. Phys. Lett., 40, 241 (1982)
  • A.J.R. de Kock, W.M. Van de Wijgert. Appl. Phys. Lett., 38, 888 (1981)
  • T.Y. Tan, C.Y. Kung. J. Appl. Phys., 59, 917 (1986)
  • Defect control in semiconductors (Tokio, 1990) p. 239
  • H. Harada, T. Abe, J. Chikawa. Semiconductor Silicon, ed. by H.R. Huff, T. Abe, B.O. Kolsen (Electrochem. Soc., Pennington, 1986) p. 76
  • I.V. Antonova, A. Misiuk, V.P. Popov, S.S. Shaimeev, L.I. Fedina. Physica B (1996) (in press)
  • И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 22, 630 (1988)
  • И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 25, 847 (1991)
  • S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
  • P. Fraundorf, G.K. Fraundorf, R.A. Craven. In: VLSI Science and Technology 1985, ed. by W.M. Bullis and S. Broydo (Electrochem. Soc., Pennington, N.Y., 1985) p. 436
  • R. Bouchard, J.R. Schneider, S. Gupta, S. Messolaras, R.J. Stewart, H.Nadasawa, W. Zulehner. J. Appl. Phys., 77, 553 (1995)
  • P. Omling, E.R. Weber, Z. Montelius, H. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985)
  • V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. St. Sol. (a), 72, 701 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.